Принять участие в поздравлении

Закрыть ... [X]

 

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

Международная специализированная выставка «Фотоника-2018»

С 27 февраля по 2 марта 2018 года в Москве состоялась 13-я международная специализированная выставка лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника. Мир лазеров и оптики-2018».

В ее работе приняли активное участие лаборатории инфракрасной оптоэлектроники (И.А. Андреева), полупроводниковой люминес­цен­ции и инжекционных излучателей (Н.А. Пихтина), квантовораз­мерных гетероструктур (С.В. Иванова) и ЦКП «Материаловедение и диагнос­тика в передовых технологиях».

Фотоальбом

С Днем российской науки!

8 февраля отмечается День российской науки.

С поздравлением к научным работникам обратился руководитель ФАНО России Михаил Котюков. В своем поздравлении он обратил внимание на особую роль науки в современном мире и ее исключительную важность для безопасности, суверенитета государства, его экономического и социального развития и для возможности будущего мирового лидерства.

Этот праздник Новый год

28 декабря 2017 года в Большом актовом зале института по традиции состоялся новогодний праздник для детей, внуков и правнуков сотрудников. Детская музыкальная филармония дала спектакль «Новогодние затеи домовенка Тимоши», который привел в восторг детей и взрослых.

Праздник был организован профкомом и дирекцией ФТИ.

Фотоальбом

Избрание почетных членов ФТИ

академик Салихов Кев Минуллинович и и лауреат Нобелевской премии по физике Хироси Амано (Hiroshi Amano)

27 октября 2017 года состоялось заседание ученого совета ФТИ, на котором тайным голосованием из числа представленных номинаторами выдающихся ученых почетными членами института были избраны научный руководитель Казанского физико-технического института, академик Кев Минуллинович Салихов (Россия) и лауреат Нобелевской премии по физике (2014 года), профессор Хироси Амано (Hiroshi Amano) (Director, Center for Integrated Research of Future Electronics, Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University).

Всемирный фестиваль молодежи и студентов

20 октября 2017 года в рамках Всемирного фестиваля молодежи и студентов (г. Сочи, 14-21 октября) состоялась панельная дискуссия «Наука без границ / наука без барьеров». Одним из лидеров дискуссии выступила старший научный сотрудник лаборатории физики ферроиков Александра Калашникова. Полные фотоотчеты на сайтах фотобанка «Росконгресс» и ТАСС-фото.

Подробнее... Фотоальбом

Дискуссия была организована Координационным советом по делам молодежи в научной и образовательной сферах при Совете по науке и образованию при Президенте РФ. Лидерами дискуссии выступили Андрей Егоров (Сколково), Камилла Пагани (МГИМО), Александра Калашникова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН), Никита Марченков (НИЦ «Курчатовский институт»), Максим Никитин и Дмитрий Зубцов (МФТИ), Жан-Кристоф Модуи (Флетчеровская школа права и дипломатии, Университет Тафтса). В рамках дискуссии докладчики представили аудитории свое видение того, с какими нефинансовыми барьерами приходится сталкиваться молодым ученым в России, рассказали о роли академической мобильности, о важности международных коллабораций, сравнили модели построения взаимоотношений внутри научных групп в российских и зарубежных исследовательских центрах.

Международная выставка «Импортозамещение»

Г.Г.Коновалов (лаб. И.Андреева) и Д.А.Веселов (лаб. Н.Пихтина) на стенде ФТИ им. А.Ф. Иоффе

С 12 по 14 сентября 2017 года в МВЦ «Крокус-Экспо» прошла 3-я международная специализированная выставка «Импортозамещение».

Одним из участников выставки стал ФТИ. На его стенде были представлены разработки лабораторий инфракрасной оптоэлектроники (И.А. Андреева) и полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Н.С. Пихтина), а также технологические возможности ФЦКП «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях».

Фотоальбом

Физтех ждет аспирантов

ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН объявляет дополнительный осенний приём в аспирантуру (10 бюджетных мест) по специальностям:

  • Физика конденсированного состояния
  • Физика полупроводников
  • Физика плазмы
  • Астрофизика и звёздная астрономия
  • Физическая электроника
  • Теоретическая физика

Прием заявлений и документов проводится c 1 июля по 15 сентября 2017 г.

Сдача экзаменов — с 18 по 30 сентября 2017 г.

Информация о готовности подразделений Института принять аспирантов в таблице.

Подробная информация и список документов для поступления.

Визит индийской делегации

19 июня 2017 года ФТИ им. А.Ф. Иоффе посетила делегация Индии, возглавляемая Секретарем Департамента науки и технологии Правительства Индии, профессором Ашутош Шарма (Ashutosh Sharma). Особенный интерес был проявлен в области работ ФТИ по направлению «Солнечная энергетика» под руководством В.М. Андреева.

Делегация также посетила лаб. квантоворазмерных гетероструктур (лаб. С.В. Иванова) и музеи ФТИ.

Фотоальбом

Мероприятия под эгидой ФТИ (март 2017)

19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ)

Международная научная школа "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур"

C 15 по 17 марта 2017 года в ФТИ им. А.Ф. Иоффе прошла Международная научная школа «Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур», участие в которой приняли более 90 человек.

Лекции для участников школы читались 5 ведущими иностранными экспертами из Германии, Франции и Финляндии и 10 российскими учеными из передовых технологических центров, таких как ИФП СО РАН (Новосибирск), НИЯУ МИФИ (Москва) и ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

C 19 по 22 марта 2017 года в парк-отеле «Золотая Долина» (Коробицыно, Лен. область) прошел 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) (EuroMBE19), собравший 130 участников из 15 стран.

В рамках симпозиума состоялась выставка оборудования МПЭ и сопутствующих технологий и материалов, в которой приняли участие 11 ведущих иностранных и российских компаний, среди которых RIBER, Veeco, Wafer Technology, SemiTEq, Azelis и др.

С программой и тезисами докладов симпозиума можно ознакомиться на сайте.

Подробнее... Фотоальбом

О симпозиуме

Этому мероприятию предшествовали симпозиумы в Л’Алп д’Юэз (Франция, 2011), Леви (Финляндия, 2013) и Канацей (Италия, 2015) в серии, начавшейся в 1981.

В симпозиуме приняло участие более 130 участников из 13 стран Европы, а также США и Китая, которые представили 15 приглашенных, 32 устных и около 60 стендовых докладов. Число участников из РФ превысило 40 человек. В выставке оборудования МПЭ и сопутствующих технологий и материалов симпозиума приняли участие 11 ведущих иностранных и российских компаний, среди которых RIBER, Veeco, Wafer Technology, SemiTEq, Azelis и др.

Симпозиум проводился при частичной поддержке РНФ (грант 15-12-30022) и РФФИ.

О школе

Круг рассмотренных в рамках Школы технологий включал молекулярно-пучковую и газофазную эпитаксии из металлорганических соединений, а также сублимационные, лазерные и химические методы осаждения.

Среди новых материалов, помимо низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур на основе классических соединений А3В5, выращиваемых на гомоэпитаксиальных подложках и на Si, рассматривались наноструктуры на основе нитридов III группы, гетероструктуры широкозонных и узкозонных соединений А2В6, оксидов железа, наноструктуры на основе Si-Ge, эпитаксиальные пленки графена, пленки органических соединений и композитов на их основе.

Школа также проводилась при поддержке гранта РНФ 15-12-30022.

19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) 19 Европейский симпозиум по молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур" МНШ "Эпитаксиальные технологии новых материалов и наноструктур"
 

© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе

Яндекс.Метрика


Поделись с друзьями



Рекомендуем посмотреть ещё:



Новости Государственное информационное агентство "Рес"
Сценарий для выкупа невесты с ребенкомСтихотворение для сыночка с днем рожденияОткрытка поздравление с днём рождения дочери для мамыПоздравление на татарском мамеКрасивый стих сестре на день рождения 55 лет


Принять участие в поздравлении Принять участие в поздравлении Принять участие в поздравлении Принять участие в поздравлении Принять участие в поздравлении Принять участие в поздравлении Принять участие в поздравлении Принять участие в поздравлении


ШОКИРУЮЩИЕ НОВОСТИ